[신소재 기초실험] 산화공정
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작성일 23-02-07 08:29
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따라서 불순물에 대해 비교적 자유롭다. 이는 중요한 효과(效果)로 열 산화에 의해서 형성되는 경계면은 대기 중에 노출되지 않는다.
題目(제목) : 산화 공정 (Oxidation)
제목 : 산화 공정 (Oxidation) 목적 : 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 시키는 공정이다. 이름대로, 실험시료와 탐침의 원자 사이에 작용하는 힘을 검출하여 이미지를 얻는다. SiO2 막의 질과 두께를 제어하기 위해서는 산화기구를 알아야한다.
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[신소재 기초실험] 산화공정
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딜-그로브의 열 산화 모델 (Deal-Grove Model of Oxidation)
-Atomic Force Microscopy (AFM)
Si의 산화를 고온에서 하는 이유는 상온에서는 Si 및 산소분자 모두 자연산화층을 통해 확산할 수 있을 만큼 활동적이지 못하기 때문이다 따라서 곧 反應은 멈추게 되고 이때 산화층의 두께는 25Å을 넘지 못한다. 실리콘산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체소자에서 매우 우수한 절연체로 전류와 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질로 고품질의 SiO₂박막을 성장시키는 산화기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다. 다시 말해 SiO2 내에서의 실리콘 확산도는 O2 의 확산도보다 매우 작다. 따라서 화학反應은 Si-SiO2의 경계면에서 일어난다. 실리콘산화막은 실리콘 표면에 원하지 않는 오염을 방지하는 역할 뿐 아니라 반도체소자에서 매우 우수한 절연체로 전류와 도핑물질의 이동을 막는데 사용되는 물질로 고품질의 SiO₂박막을 성장시키는 산화기술은 반도체 공정에서 매우 중요하다.
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다. 원자 사이에 작용하는 힘은 모든 물질에서 작용하기 때문에, 전자나 전기를 이용하는 STM이나 SEM과 달리, 전도성 물질로 코팅을 하거나 진공 상태로 만드는 등 전처리 없이도 모든 시료를 용이하게 볼 수 있다아 이러한 長點 덕분에 대기나 액체 속, 또는 고온부터 저온까지 여러가지 environment에서 생체 실험資料를 자연에 가까운 상태로 측정(測定) 할 수 있다아 현재는, 다른 주사 프로브 현미경과 같이 공간분해능은 탐침 끝의 두께(나노미터 크기)에 따라 달라지고, 원자 수준까지 볼 수 있다아
Si기판을 고온(1000℃ 전후)하에서 산소 등의 산화성 가스에 노출시키면, Si표면이 산화되어 SiO2 막이 형성된다.
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원자간력 현미경 (Atomic Force Microscope, AFM)은 주사 프로브 현미경 (Scanning Probe Microscope, SPM)의 한 종류이다.설명
산소분자(O2)등의 산화 종이 우선 SiO2막 표면에 흡착한 후, SiO2막 중을 확산에의해 통과하여 Si 와 SiO2의 계면에 도달하면 그곳에서Si와反應(산화)하여 SiO2 가 형성된다.
목적 : 반도체 소자 제조 공정 중 하나로 고온에서 산소나 수증기를 주입시키고 열을 가해실리콘 웨이퍼 표면에 얇고 균일한 실리콘 산화막을 형성 시키는 공정이다.
